據韓媒報道，三星內部認為目前 NAND Flash 供應價格過低，公司計劃今年四季度起，調漲 NAND Flash 產品的合約價格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價格。

　　自今年年初以來，三星一直奉行減產戰(zhàn)略，此前曾報道，三星的晶圓產量大幅下降了 40%，最初的減產舉措主要集中在 DRAM 領域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務產量，眼下正試圖推動 NAND 價格正常化。

　　如今 DRAM 已出現(xiàn)價格反彈，而 NAND 產品仍存突破空間。三星目標是擴大減產規(guī)模，降低供應量，再提高產品價格來尋求反轉，其期望明年第二季實現(xiàn) NAND 盈虧平衡點。

　　研究員 Han Dong-hee 認為，三星的第二波減產計劃和獲利優(yōu)先政策有望帶動存儲芯片價格反彈。

　　目前業(yè)內買賣雙方正在洽談合約價，外媒認為 DRAM 及 NAND Flash 第四季度合約價將上漲 10%-15%，三星甚至計劃調漲 20%，不過仍待觀察具體成交價。