其中存儲(chǔ)部分由于DRAM產(chǎn)品服務(wù)器客戶(hù)庫(kù)存調(diào)整、銷(xiāo)量降低、采購(gòu)延遲以及消費(fèi)市場(chǎng)客戶(hù)手機(jī)以及PC應(yīng)用的需求尚未恢復(fù)，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的業(yè)績(jī)較上一季度大幅下滑。而NAND部分雖然也受到需求疲軟影響，但是產(chǎn)品組合及時(shí)跟上業(yè)界往高密度轉(zhuǎn)變的趨勢(shì)。

　　而在第二季度三星將加速DDR5以及LPDDR5x節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換，并注重應(yīng)對(duì)AI等新用例。而NAND則會(huì)注重成本競(jìng)爭(zhēng)力。

　　System LSI業(yè)務(wù)在第一季度的收益大幅下降，在第二季度由于客戶(hù)庫(kù)存壓力下降，所以可能有助于盈利小幅回升。

　　三星預(yù)計(jì)，下半年隨著下游客戶(hù)庫(kù)存水平下降，存儲(chǔ)產(chǎn)品和系統(tǒng)IC組件的需求會(huì)逐步恢復(fù)。而隨著中國(guó)市場(chǎng)對(duì)移動(dòng)產(chǎn)品需求的復(fù)蘇，System LSI 將嘗試重新進(jìn)入旗艦市場(chǎng)，同時(shí)也希望能夠擴(kuò)大業(yè)務(wù)領(lǐng)域。

　　代工業(yè)務(wù)目前正通過(guò)應(yīng)用GAA技術(shù)量產(chǎn)第一代3nm工藝節(jié)點(diǎn)，專(zhuān)注于高性能和低功耗特性的第二代工藝正在開(kāi)發(fā)中，目標(biāo)2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。為2nm工藝設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)設(shè)施開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利。